RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3211
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link