RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
71
Wokół strony -274% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3499
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link