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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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考慮すべき理由
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
71
周辺 -274% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.5
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
19
読み出し速度、GB/s
2,831.6
20.0
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
17.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3499
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Frequency (Mhz) *
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