RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
71
Около -274% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3499
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link