A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 73
    Около 37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 2,061.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,937.3 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,061.2 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    759 left arrow 1843
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения