RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
71
En -274% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3499
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link