RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3614
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link