RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3614
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link