RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3879
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link