RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3580
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link