RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link