RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2968
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link