RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4235
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1280CL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link