RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3899
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link