RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3925
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link