RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2713
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link