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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2713
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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