RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2462
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link