RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2462
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link