RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2597
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link