RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2715
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link