RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3141
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMP16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link