RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3206
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link