RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link