RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link