RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2271
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link