RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2155
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link