RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
85
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1772
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link