RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2103
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link