RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3610
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link