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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
16.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3610
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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