RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3411
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link