RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1891
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link