RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3733
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link