RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3733
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link