RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1891
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link