RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
65
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2041
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link