RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
65
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2041
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link