RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
65
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2041
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link