RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
35
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3205
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link