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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
14.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3205
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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