RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3254
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link