RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3485
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link