RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3462
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link