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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
14.4
16.9
写入速度,GB/s
9.5
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3462
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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