RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3143
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link