RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2601
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link