RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2601
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link