RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3327
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link