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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
14.4
17.4
写入速度,GB/s
9.5
14.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
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