RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2677
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link