RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2677
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link