RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2677
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link